次世代ウェーハ開発への挑戦

半導体デバイスの高性能化には、ナノテクノロジー（超微細化技術）を駆使した回路書き込みにおける線幅の微細化が求められます。これにより一つのICチップをより高集積化することで、超LSIなどの多様な高性能デバイスが実現できるのです。

このようなナノスケール（ナノメートル：nm：10億分の1メートル）の世界では、基板となるシリコンウェーハの平坦度、清浄度にも限りなく「ゼロ」に近い精度が要求されます。

近い将来、半導体デバイスの線幅は20～10nmの世代に入ると予想されます。それに伴い、シリコンウェーハへの品質要求はより厳しいものとなるのは必至です。

そして、それを450mmウェーハで実現するには・・・。

単結晶シリコンインゴット製造プロセスの刷新、ウェーハ加工技術の刷新、シリコンウェーハの機械的特性の検証など、300mmウェーハよりも高品質なウェーハを製造するために、業界全体で議論し解決すべき課題が数多くあります。

SUMCOでは、来るべき450mmウェーハ時代に備えるべく、いち早く基礎研究に着手するとともに、小規模ながら試作を始めています。