半導体用ウェーハ 製品一覧

• 単結晶インゴット
• ポリッシュト・ウェーハ（PW）
• アニール・ウェーハ
• エピタキシャル・ウェーハ（EW）
• 埋込層付エピタキシャル・ウェーハ（JIW）
• SOIウェーハ
• 再生ウェーハ（RPW）
• 各種ウェーハ仕様

CZ法（Czochralski=チョクラルスキー法）を利用して、高度に制御された品質をもつ直径300mmまでの単結晶インゴットを製造しています。また、お客様の要求に応じてCZ法に強力な磁場をかけるMCZ法（Magnetic field applied Czochralski法）を用いる場合もあります。

単結晶シリコンをスライスし、鏡面研磨した平坦度と清浄度に優れたウェーハです。
ご要望に応じて各種ゲッタリング能力（電気特性を劣化させる重金属不純物を捕獲する能力）を付与したウェーハも製造しています。

ポリッシュト・ウェーハを、水素もしくはアルゴンの雰囲気中で高温熱処理して、ウェーハ表面の結晶完全性を高めたウェーハです。

ポリッシュト・ウェーハ（PW）の表面に、PWと同じ結晶面の単結晶シリコン層を気相成長させ（エピタキシャル成長）、さらに優れた品質をもたせたウェーハです。

お客様の設計に合わせて、露光、イオン注入、熱拡散技術を利用してウェーハ表面にIC用埋め込み層を形成した後に、エピタキシャル成長させたウェーハです。

デバイスの高集積化、低消費電力化、高速化、高信頼性の実現を目指して電気絶縁性の高い酸化膜層をウェーハ内部に形成させたウェーハです。2枚のポリッシュト・ウェーハを、酸化膜を介在させて貼り合わせています。